Samsung hồi sinh Z-NAND với hiệu năng tăng 15× và tiết kiệm năng lượng 80%
• Samsung vừa công bố tái khôi phục công nghệ Z NAND sau 7 năm, hướng đến việc phục vụ các workloads AI tại data centers với hiệu năng vượt trội: dự kiến tăng đến 15 lần so với NAND flash truyền thống, đồng thời giảm mức tiêu thụ năng lượng đến 80%.
________________________________________
Công nghệ then chốt: GIDS – GPU-Initiated Direct Storage Access
• Một tính năng nổi bật của Z NAND thế hệ mới là GIDS (GPU-Initiated Direct Storage Access) – cho phép GPU truy cập trực tiếp vào ổ Z NAND, bỏ qua hoàn toàn CPU và DRAM. Điều này giúp giảm đáng kể độ trễ (latency) khi xử lý dữ liệu, đặc biệt quan trọng cho các tác vụ AI lớn cần phản hồi nhanh.
________________________________________
Nền tảng & ý nghĩa
• Z NAND trước đây từng là phiên bản turbocharged của SLC V NAND, với kích thước page nhỏ (2 4 KB thay vì 8 16 KB) giúp tăng song song hóa và giảm độ trễ. Thời điểm đó, Z NAND đã tạo ra độ trễ thấp hơn 6–10 lần so với ổ SSD NVMe thông thường
• Việc tích hợp GIDS giúp đẩy hiệu năng lưu trữ tiến xa hơn, đặc biệt trong môi trường AI, nơi mà tốc độ truy cập dữ liệu ảnh hưởng trực tiếp đến hiệu suất mô hình.
• Tái sinh Z-NAND cùng GIDS là câu trả lời của Samsung cho nhu cầu cao về lưu trữ hiệu năng – tốc độ – tiết kiệm điện trong kỷ nguyên AI đang bùng nổ.
Kết luận
Samsung đang trở lại mạnh mẽ với Z-NAND – một lần nữa đặt mục tiêu dẫn đầu trong lĩnh vực lưu trữ hiệu năng cao. GIDS mở ra khả năng mới cho thiết kế hệ thống AI, giúp tăng tốc xử lý dữ liệu trong khi giảm chi phí năng lượng và độ trễ.
VN
ENG 
