VN
1. Chip NAND 332 layer & chiến lược "dual axis"
• Kioxia (cùng Sandisk) vừa công bố chip 3D NAND thứ 10 – 332 lớp, mỗi die dung lượng 2 Tb, sử dụng kiến trúc CMOS trực tiếp gắn với array (CBA), cải thiện băng thông, giảm độ trễ và tiết kiệm điện năng.
• So với thế hệ thứ 8, chip mới nhanh hơn ~33%, giảm tiêu thụ ~10% khi đọc và ~34% khi ghi.
• Độ mật độ bit tăng ~59%, nhờ số lớp nhiều hơn và cải tiến thiết kế cell plan.
________________________________________
2. Hướng đi không dùng PLC
• Kioxia chọn chiến lược hai trục: tăng layers để mở rộng dung lượng và tối ưu CBA để nâng cao hiệu năng mà không chuyển qua PLC, nhằm giữ tốt tính ổn định và endurance.
• Họ từ chối PLC, thay vào đó đầu tư vào quy trình và kiến trúc mới.
________________________________________
3. Ứng dụng vào SSD hiệu năng cao
• CM9 series (PCIe 5.0, NVMe 2.0), dự kiến độ lớn lên đến 61.44 TB (form 2.5″) hoặc 30.72 TB (E3.S), dùng BiCS FLASH gen 8 với CBA – mẫu đang thử nghiệm cho khách hàng, ưu việt AI/HPC với:
o Random write tăng 65%, random read +55%, sequential write gần như gấp đôi thế hệ trước.
o Hiệu suất theo công suất tăng từ 55–75%
o Hỗ trợ NVMe MI 1.2c, dual port, tương thích môi trường data center.
________________________________________
4. SSD “AI ready” XL Flash SLC
• Kioxia đang phát triển SSD hiệu năng cực cao dùng XL Flash SLC, hỗ trợ hơn 10 triệu IOPS, mẫu thử vào nửa sau 2026.
• Dự án nhắm vào ứng dụng AI server, inference, training — hỗ trợ peer to peer với GPU, tối ưu block 512 B, độ trễ đọc chỉ 3–5 µs, so với 40–100 µs của 3D NAND truyền thống.
1. Chip NAND 332 layer & chiến lược "dual axis"
• Kioxia (cùng Sandisk) vừa công bố chip 3D NAND thứ 10 – 332 lớp, mỗi die dung lượng 2 Tb, sử dụng kiến trúc CMOS trực tiếp gắn với array (CBA), cải thiện băng thông, giảm độ trễ và tiết kiệm điện năng.
• So với thế hệ thứ 8, chip mới nhanh hơn ~33%, giảm tiêu thụ ~10% khi đọc và ~34% khi ghi.
• Độ mật độ bit tăng ~59%, nhờ số lớp nhiều hơn và cải tiến thiết kế cell plan.
________________________________________
2. Hướng đi không dùng PLC
• Kioxia chọn chiến lược hai trục: tăng layers để mở rộng dung lượng và tối ưu CBA để nâng cao hiệu năng mà không chuyển qua PLC, nhằm giữ tốt tính ổn định và endurance.
• Họ từ chối PLC, thay vào đó đầu tư vào quy trình và kiến trúc mới.
________________________________________
3. Ứng dụng vào SSD hiệu năng cao
• CM9 series (PCIe 5.0, NVMe 2.0), dự kiến độ lớn lên đến 61.44 TB (form 2.5″) hoặc 30.72 TB (E3.S), dùng BiCS FLASH gen 8 với CBA – mẫu đang thử nghiệm cho khách hàng, ưu việt AI/HPC với:
o Random write tăng 65%, random read +55%, sequential write gần như gấp đôi thế hệ trước.
o Hiệu suất theo công suất tăng từ 55–75%
o Hỗ trợ NVMe MI 1.2c, dual port, tương thích môi trường data center.
________________________________________
4. SSD “AI ready” XL Flash SLC
• Kioxia đang phát triển SSD hiệu năng cực cao dùng XL Flash SLC, hỗ trợ hơn 10 triệu IOPS, mẫu thử vào nửa sau 2026.
• Dự án nhắm vào ứng dụng AI server, inference, training — hỗ trợ peer to peer với GPU, tối ưu block 512 B, độ trễ đọc chỉ 3–5 µs, so với 40–100 µs của 3D NAND truyền thống.
ENG 
